Samsung запустила в серию «самую быструю и емкую оперативную память»

Конкуренты Hynix

Помимо SK Hynix, производством HBM-памяти с 2016 г. занимается другая южнокорейская корпорация – Samsung. Первый HBM2-продукт Samsung выпускался под маркой Flarebolt. В начале 2018 г. свет увидел второе поколение восьмигигабайтной HBM2, выпущенной Samsung под брендом Aquabolt. Память обеспечивала в 9,6 раза более высокую производительность по сравнению с тогдашней производительностью DRAM (GDDR5).

Наконец, в марте 2019 г. Samsung анонсировала самую быструю на тот момент HBM2-память. Скорость передачи данных новинки под маркой Flashbolt составила 3,2 Гбит/с на контакт, что было на 33% быстрее памяти предыдущего поколения. Пропускная способность достигала 410 ГБ/с. Поставки Flashbolt начались в феврале 2020 г.

Американская Micron в марте 2020 г. сообщила о планах до конца года стать третьим производителем HBM.

6 Corsair

И сразу второй производитель оперативной памяти для игр. Несмотря на вдвое меньший ассортимент, компания даже более известна среди покупателей. Благодаря этому, количество предложений значительно больше – популярные модели можно найти в 2-3 десятках магазинов, что можно считать великолепным результатом для игровых комплектующих.

Внешний вид, по сравнению с G.Skill, скромный. В большинстве своем модули прикрыты эффективным, но незамысловатым в плане дизайна радиатором черного цвета. Но можно найти и несколько красных и белых моделей, и даже «плашки» с RGB подсветкой. Выбор типов огромен: есть и древнейший DDR на 512 Мб и новые DDR4 модули объемом 16 Гб. Около 10% продукции подойдет для использования в ноутбуках. Что удивительно, предложений DDR3 памяти формата SODIMM на треть больше, чем актуальных в данный момент DDR4.

По технической части продукция Corsair ничем не уступает G.Skill. Вдобавок к окологражданским модулям с тактовой частотой 3000 МГц (DDR4) производитель предлагает экстремальные модификации, работающие на 4600 МГц! Стабильность последних под вопросом, а вот «середнячки» заполучили всенародную любовь в том числе благодаря надежности – гарантия на большинство модулей памяти 10 лет.

Оперативная память Corsair Vengeance RGB Pro DDR4 2x8Gb (CMW16GX4M2C3000C15)

	Corsair DDR4 2х8GB 3000MHz CMW16GX4M2C3000C15W Svyaznoy.ru 14599руб.	Svyaznoy.ru	по Санкт-Петербургу	14599руб.	В магазин
	Память DDR4 2x8Gb 3000MHz Corsair CMW16GX4M2C3000C15W CMW16GX4M2C3000C15W Lite-mobile.ru 7720руб.	Lite-mobile.ru	по Санкт-Петербургу	7720руб.	В магазин
	Модуль памяти CORSAIR Vengeance RGB Pro CMW16GX4M2C3000C15W DDR4 — 2x 8ГБ Citilink.ru 7890руб.	Citilink.ru	по Санкт-Петербургу	7890руб.	В магазин
	Модуль памяти Corsair DDR4 Dimm 2x8Gb 3000MHz CMW16GX4M2C3000C15W RTL CL15 Komus.ru 8100руб.	Komus.ru	по Санкт-Петербургу	8100руб.	В магазин
	Оперативная память Corsair 2x8Gb DDR4 DIMM (CMW16GX4M2C3000C15W) Kotofoto.ru 8060руб.	Kotofoto.ru	по Санкт-Петербургу	8060руб.	В магазин
	Оперативная память Corsair CMW16GX4M2C3000C15 Elecity.ru 8735руб.	Elecity.ru	по Санкт-Петербургу	8735руб.	В магазин

8 Apacer

Если кремниевая долина – родина огромного количества софтверных компаний, то Тайвань, кажется, стала домом для множества производителей компьютерных комплектующих. По крайней мере, Apacer, основанный в 1997 году – уже третий производитель из этих краев.

Но давайте ближе к оперативной памяти. В первую очередь стоит отметить бюджетные цены. Для примера, модуль DDR4 памяти на 8 Гб от Apacer обойдется вам в 4100-4300 рублей, в то время как у конкурентов цены стартуют с отметки в 4500 рублей. Производитель предлагает не очень много товаров – на момент написания статьи в продаже 78 предложений. Причем около 80% – оперативная память актуального поколения DDR4. Найти обнову для своего старого ПК будет проблематично.

Зато уровень памяти сильно отличается. Можно найти и бюджетные решения на классическом зеленом текстолите, и чуть более симпатичные модели в черной раскраске, и модули с радиаторами необычной формы – например, стилизованные под клинок или когти пантеры. В техническом плане наблюдаем разбег от среднего уровня до высокопроизводительных игровых решений с тактовой частотой 3466 МГц и возможностью разгона.

Оперативная память Apacer AU DDR4 1x8Gb (AU08GGB24CEYBGH)

	Оперативная память Apacer 8GB DDR4 UDIMM (AU08GGB24CEYBGH/EL.08G2T.GFH) Kotofoto.ru 2950руб.	Kotofoto.ru	по Санкт-Петербургу	2950руб.	В магазин
	Модуль памяти DDR4 8GB Apacer EL.08G2T.GFH PC4-19200 2400MHz CL17 512×8 1. Xcom-shop.ru 2544руб.	Xcom-shop.ru	в Санкт-Петербург из Москвы	2544руб.	В магазин
	Apacer DDR4 DIMM 8GB AU08GGB24CEYBGH PC4-19200, 2400MHz Frontex.ru 3290руб.	Frontex.ru	в Санкт-Петербург из Ярославля	3290руб.	В магазин

Оперативная память HyperX Fury RGB HX432C16FB3AK2/32

• Форм-фактор: DIMM
• Объем одного модуля памяти: 16 ГБ
• Количество модулей: 2
• Тактовая частота: 3200 МГц
• Тайминги: 16-18-18-32
• Радиаторы: да
• Подсветка: да
• Напряжение: 1.35 В

Середину итогового топ семь занимает столь же усредненная оперативная память от гиганта рынка ОЗУ – тайваньской компании Kingston. Такого эпитета я удостоил комплект из двух модулей, который, по моему мнению, выражает современный тренд, а потому находится как раз в центре всеобщего запроса на качественную «оперативку».

Встречайте HyperX Fury, которую производитель снабдил разноцветными диодами. Но не только RGB-подсветка стала достоинством выбранного комплекта на тридцать два гигабайта.

Kingston чаще всего использует чипы от Hynix. Не стали исключением и яркий набор «яростной» памяти. Здесь используются кристаллы из ревизии C-die, а внутри уже вшиты два XMP-профиля с оптимальной частотой 3000 мегагерц и с предельной – 3200. Но этого мало, у всей памяти HyperX производитель внедрил функцию Plug`n`Play, которая в зависимости от окружения установит максимально возможные параметры, взяв их из SPD. И да, C-die отлично разгоняются, поэтому взять частоты больше, чем описанные в документации, не проблема.

4 Patriot Memory

По количеству отзывов на модули памяти Patriot можно сделать простой вывод – производитель явно пользуется популярностью у покупателей. Оно и не удивительно: продукция сочетает в себе относительно бюджетный ценник и высокую производительность. В линейке американцев есть и простенькие модели, и мощные игровые решения. Дизайн самый разнообразный – от зеленого текстолита до стильных объемных радиаторов с RGB-подсветкой.

По техническим характеристикам наблюдаем большое разнообразие: есть и бюджетные модули со средними характеристиками, и игровые решения с тактовой частотой свыше 3000 МГц и поддержкой разгона. Но есть недостаток: в отзывах к некоторым моделям пользователи отмечают несоответствие заявленным характеристикам. Показатели зачастую чуть ниже заявленных, а для разгона требуется приложить немало усилий.

Зато ценник на оперативную память Patriot Memory вполне разумный – к примеру, за планку DDR4 на 8 Гб придется отдать около 4300 рублей, что несколько ниже средней по рынку.

Оперативная память Patriot Viper 4 DDR4 2x8Gb (PV416G300C6K)

	PATRIOT DDR4 KIT2 PV416G300C6K 16GB PV416G300C6K Svyaznoy.ru 5699руб.	Svyaznoy.ru	по Санкт-Петербургу	5699руб.	В магазин
	Модуль памяти PATRIOT Viper 4 PV416G300C6K DDR4 — 2x 8ГБ 3000, DIMM, Ret P Citilink.ru 6090руб.	Citilink.ru	по Санкт-Петербургу	6090руб.	В магазин
	Память DDR4 Patriot 2x8Gb Viper 4 (PV416G300C6K) Kotofoto.ru 5780руб.	Kotofoto.ru	по Санкт-Петербургу	5780руб.	В магазин
	Оперативная память Patriot Memory PV416G300C6K Elecity.ru 6514руб.	Elecity.ru	по Санкт-Петербургу	6514руб.	В магазин
	Оперативная память Patriot Viper 4 16 ГБ PV416G300C6K Lite-computer.ru 5880руб.	Lite-computer.ru	по Санкт-Петербургу	5880руб.	В магазин
	Patriot Оперативная память 16Gb (2x8Gb) PC4-24000 3000MHz DDR4 DIMM CL16 P 123.ru 5610руб.	123.ru	по Санкт-Петербургу	5610руб.	В магазин

Тайминги

Про тайминги уже было пару слов на сайте, но так как было это давно, то пройдемся по ним еще раз.

Другими словами оные представляют из себя временные задержи или латентность (CAS Latency, CL) оперативки. Значение сие указывается в виде нескольких последовательных цифр (например, 3-3-3). Это записанные подряд следующие параметры: «CAS Latency» (время рабочего цикла), «RAS to CAS Delay» (время полного доступа) и «RAS Precharge Time». От них в значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор-память» и, как следствие, быстродействие всей системы. Чем меньше величина этих таймингов, тем быстрее работает оперативная память. Тайминги измеряются в наносекундах (нс) и могут принимать значение от 2 до 9 (каждая цифра — это количество тактов шины на выполнение той или иной операции).

Иногда к этим трём параметрам добавляется четвёртый (например, 9-9-9-27), называющийся «DRAM Cycle Time Tras/Trc» (характеризует быстродействие всей микросхемы памяти).

Если указывается только одна цифра (например, CL2), то она означает только первый параметр — CAS Latency, остальные при этом не обязательно равны ему, а обычно даже выше, так что имейте это в виду и не попадайтесь на маркетинговый ход производителя.

Меньшие значения означают более высокое быстродействие. Правда есть одна проблемка: чем больше частота оперативной памяти — тем выше ее тайминги, а поэтому, следует выбирать оптимальное соотношение этих двух параметров, исходя из бюджета. Есть, например, специальные модели у разных производителей, в примечании к которым указано «Low Latency». Это означает, что данная модель при более высокой рабочей частоте имеет меньшее время задержек, но стоят они значительно дороже.

Резюмируем таймингоэпопею: при покупке лучше выбирать память с наименьшими таймингами, а если Вы хотите добавить модуль к уже установленному, то CL у этой памяти должны совпадать с таймингами уже установленной.

1 Kingston

Компания Kingston крайне популярна не только у нас в стране, но и в мире. Американский производитель известен комплектующими, связанными с памятью: SSD дисками, «флешками» и, разумеется, оперативной памятью.

На момент написания статьи, именно Kingston предлагает самый большой выбор оперативной памяти. В продаже имеется более 900 товаров. Также есть множество точек продажи – почти наверняка в ближайшем к вам магазине электроники есть продукция лидера. Найти модули памяти неактуальных типов также можно – ОЗУ DDR и DDR2 продается очень активно.

Оперативная память Crucial Value DDR4 1x8Gb (CT8G4DFS824A)

	Модуль памяти CRUCIAL CT8G4DFS824A DDR4 — 8ГБ 2400, DIMM, Ret CT8G4DFS824A Citilink.ru 2790руб.	Citilink.ru	по Санкт-Петербургу	2790руб.	В магазин
	Оперативная память Crucial CT8G4DFS824A (8 Гб UDIMM DDR4 2.4 ГГц) Komus.ru 2840руб.	Komus.ru	по Санкт-Петербургу	2840руб.	В магазин
	Память DDR4 Crucial 8Gb (CT8G4DFS824A) Kotofoto.ru 2890руб.	Kotofoto.ru	по Санкт-Петербургу	2890руб.	В магазин
	Оперативная память Crucial CT8G4DFS824A Elecity.ru 4018руб.	Elecity.ru	по Санкт-Петербургу	4018руб.	В магазин
	Оперативная память Crucial 8 ГБ CT8G4DFS824A Lite-computer.ru 2940руб.	Lite-computer.ru	по Санкт-Петербургу	2940руб.	В магазин
	Crucial Оперативная память 8Gb (1x8Gb) PC4-19200 2400MHz DDR4 DIMM CL17 Cr 123.ru 2990руб.	123.ru	по Санкт-Петербургу	2990руб.	В магазин

Обновлено: 8-11-2018

Внимание! Представленная выше информация не является руководством к покупке. За любой консультацией следует обращаться к специалистам!

Средне-бюджетные комплекты ОЗУ, суммарным объемом 16 ГБ

Модули, представленные ниже – одноранговые.

Частота XMP 2666 МГц

HyperX FURY HX426C16FB3K2/16. Чипы памяти Nanya A-Die, которые слабо поддаются разгону. Тайминги 16-18-18-36. Средняя цена 6300 рублей. Данный комплект отлично подойдет для владельцев материнских плат Intel, на чипсете не позволяющим поднимать частоту оперативной памяти выше 2666 МГц (например чипсеты H370 и B360).

Частота XMP 3200 МГц

Crucial Ballistix Sport LT

Crucial Ballistix Sport LT BLS2K8G4D32AESBK или AT BLS2K8G4D32AESTK. Чипы памяти Micron E-die. Тайминги 16-18-18-36. Средняя цена 7500 рублей. Данная память является, пожалуй, лучшим выбором по соотношению цена/качество. Она легко поддается разгону и сохраняет при этом низкие тайминги.

G.SKILL Ripjaws VF4-3200C16D-16GVKB. На рынке сейчас представлены варианты как на чипах Samsung B-die, так и на чипах Hynix. Тайминги 16-18-18-38. С высокой долей вероятности возьмет частоту 3600 МГц. Средняя цена 7500 рублей.

Patriot Viper PVB416G320C6K. Чипы памяти Hynix C-die, которые отличаются средним разгонным потенциалом. Тайминги16-18-18-36. Средняя цена 7000 рублей. Легко разгоняется до 3400 МГц без серьезного повышения таймингов, но стабильная работа с большей частотой не гарантируется.

ADATA AX4U320038G16-DT41. Чипы Hynix C-die. Тайминги 16-18-18-36. Средняя цена 7800 рублей. Для Ryzen третьего поколения достаточно легко взять 3600 МГц с таймингами 16-19-19-39. Для Intel 3733 МГц 18-20-20-42.

Частота XMP 3466 МГц

HyperX FURY HX434C16FB3AK2/16 (с подсветкой) и HX434C16FB3K2/16 (без подсветки). Может попасться как на чипах Micron J-die так и на Samsung B-die. Тайминги 16-18-18-36. Средняя цена 9000 — 10000 рублей. На чипах от Micron предел разгона 3600 МГц, а на Samsung 3733-3800 МГц.

Первая память стандарта DDR5

Южнокорейская компания SK hynix начала производство первой в мире оперативной памяти нового поколения DDR5 DRAM, говорится в пресс-релизе, опубликованном на официальном сайте компании. Продукт, по заявлению производителя, оптимизирован для решения задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.

Новинка поддерживает скорость передачи данных в диапазоне от 4800 до 5600 Мбит/сек на контакт, что в 1,8 раз выше показателя изделий стандарта предыдущего поколения – DDR4. Для сравнения: модуль памяти с такими характеристиками мог бы обеспечить передачу девяти фильмов в высоком разрешении (FullHD, примерно 5 ГБ каждый) в секунду.

Рабочее напряжение микросхемы было понижено с 1,2 до 1,1 В, благодаря чему уровень энергопотребления также снизился на 20%.

В DDR5-памяти SK hynix реализована функция коррекции ошибок (ECC, Error Correcting Code), которая по оценке производителя, повышает надежность работы приложений в 20 раз. Микросхемы DDR5 DRAM могут быть скомпонованы с максимальной плотностью при помощи технологии TSV, что позволяет получить модуль памяти емкостью до 256 ГБ.

Сколько оперативной памяти в Mac mini

8 и 16 Гигабайт, пусть даже объединённой, оперативной памяти в наши дни уважения не внушают. Неудивительно, что по этому поводу поднялась нешуточная волна народного гнева, причем какая-то однобокая. Во всех Mac’ах с M1 внутри ситуация с оперативной памятью в точности та же – 8 и 16 Гигабайт, и возможности её модернизации нет ни у одного из них. Но гнев направлен почти исключительно против Mac mini. Из-за того, что размеры и вес критичны для ноутбуков, и компромиссы в их случае хотя бы понятны – но кто мешает Apple сделать Mac mini с Apple Silicon внутри сколь угодно большим, чтобы максимальный размер памяти, которую можно в нем разместить был хотя бы 64 Гигабайта? А лучше 128 или 256 ГБ?

ОЗУ в новых Mac находится прямо в чипе M1

Apple уже творила (и продолжает) настоящие чудеса с оперативной памятью в мобильных устройствах, причем ей противостоял противник пострашнее и поспособнее, чем в компьютерной индустрии. Это во-первых. А во-вторых, Apple “кровь из носа” нужен триумфальный успех её новой архитектуры, фатальные проблемы ей не нужны, и все, что нам показали 10 ноября, долго и тщательно тестировалось. Проблему с недостаточностью оперативной памяти выявили бы обязательно – и скорее отложили бы выход Mac’ов с M1, чем выпустили бы их в большой мир. Но как все будет на самом деле, можно узнать только из опыта сотен независимых от Apple пользователей. Apple непредсказуема.

Популярность памяти

Память LPDDR5, оптимизированная для эффективной работы различных функций смартфонов с применением 5G-сетей и искусственного интеллекта, на момент публикации материала не могла похвастаться широким распространением. В настоящее время существует лишь несколько моделей смартфонов, в которых она используется.

Самыми первыми аппаратами Samsung, заполучившими LPDDR5, стали флагманские моноблоки из новой серии Galaxy S20. Их дебют состоялся 11 февраля 2020 г. Следом за ними Samsung установила новую память в раскладушку с гибким дисплеем Galaxy Z Flip.

LPDDR5 используется и в ряде новейших китайских флагманов. Так, первыми среди них оказались смартфоны Mi 10 и Mi 10 Pro производства Xiaomi – компания выпустила их 13 февраля 2020 г. 24 февраля 2020 г. «коллекцию» смартфонов с LPDDR5-пополнил еще один китайский флагман, на этот раз от компании Oppo. Она выпустила модель X50 5G под дочерним брендом Realme.

Realme X50 5G оказался в числе первых смартфонов с памятью LPDDR5

Однако самым первым смартфоном в мире, укомплектованным новым чипом памяти, оказался китайский ZTE Axon 10s Pro. CNews сообщал, что его премьера прошла 7 февраля 2020 г., в день, когда Micron начала выпуск своих чипов LPDDR5.

В этом аппарате, как и в новинках Realme, Xiaomi и Samsung, объем оперативной памяти не превышает 12 ГБ. О своих планах по установке новейших 16-гигабайтных модулей в свои смартфоны на момент публикации материала не заявлял ни один производитель.

• Короткая ссылка
• Распечатать

Смартфонов с 12 ГБ ОЗУ станет больше: Samsung запустила массовое оперативной памяти LPDDR4X объемом 12 ГБ

Вообще компания производила модули памяти аналогичного объема и до сегодняшнего дня (они, к примеру, используются в топовой версии Samsung Galaxy S10+), но сейчас речь идет о 10-нанометровой памяти LPDDR4X, в то время как до этого выпускалась память LPDDR4 по техпроцессу 20 нм. Компания Samsung сообщила о начале массового производства оперативной памяти LPDDR4X объемом 12 ГБ.

Средняя скорость обмена данными составляет 4266 МБ/с — и в этом нет никаких отличий от LPDDR4. Новый модуль DRAM состоит из шести 16-гигабитных чипов. Но за счет более тонкого техпроцесса площадь готового модуля гораздо меньше, что в какой-то мере облегчает компоновку компонентов внутри корпуса смартфона.

Вероятно, она будет использоваться в Galaxy S10 5G. Судя по всему, 12-гигабайтная память DRAM PDDR4X появится уже в следующих моделях Samsung флагманской серии Galaxy S. Также этот смартфон может получить и память eUFS 3.0 объемом 512 ГБ, массовое производство которой началось в феврале.

Вообще компания производила модули памяти аналогичного объема и до сегодняшнего дня (они, к примеру, используются в топовой версии Samsung Galaxy S10+), но сейчас речь идет о 10-нанометровой памяти LPDDR4X, в то время как до этого выпускалась память LPDDR4 по техпроцессу 20 нм. Компания Samsung сообщила о начале массового производства оперативной памяти LPDDR4X объемом 12 ГБ.

Вероятно, она будет использоваться в Galaxy S10 5G. Судя по всему, 12-гигабайтная память DRAM PDDR4X появится уже в следующих моделях Samsung флагманской серии Galaxy S. Также этот смартфон может получить и память eUFS 3.0 объемом 512 ГБ, массовое производство которой началось в феврале.

Средняя скорость обмена данными составляет 4266 МБ/с — и в этом нет никаких отличий от LPDDR4. Новый модуль DRAM состоит из шести 16-гигабитных чипов. Но за счет более тонкого техпроцесса площадь готового модуля гораздо меньше, что в какой-то мере облегчает компоновку компонентов внутри корпуса смартфона.

Ещё новости

  26.12.2020  Раскрыты характеристики младших версий смартфонов Samsung Galaxy S21

Galaxy S21 получит 6,2-дюймовый дисплей, а модель Plus — 6,7-дюймовый. Согласно данным источника, оба смартфона будут иметь уровень защиты от воды и пыли по стандарту IP68. В дисплей будет встроен ул…

  25.12.2020  В России возрадят лаборатории для тестирования нового оружия в экстремальных условиях

Причём некоторые из них уже прошли аттестацию. Речь идёт о специальных камерах, в которых поддерживаются экстремальные условия (запыление, пониженная и повышенная температуры и т.д.), говорится на сай…

  28.12.2020  Xiaomi поделилась подробностями о MIUI 12.5 накануне сегодняшнего анонса оболочки

Можно лишь утверждать, что первыми смартфонами, которые получат эту версию оболочки, окажутся грядущие флагманы компании — Xiaomi Mi 11 и Mi 11 Pro. Отметим, что до сих пор нет никакой точной информац…

  26.12.2020  Названо количество российских космических запусков в 2020 году

В общей сложности в России запустили 21 аппарат. Помимо прочего подсчитали и количество отечественных космических аппаратов, которые были запущены в текущем году. В это количество вошли шесть спутнико…

  18.12.2020  «Яндекс» назвал главные слова уходящего десятилетия. И три слова 2020 года

В него вошли слова, которые пользователи запрашивали как минимум в три раза чаще, чем в прошлом году. На основе данных поисковых запросов «Яндекс» составил рейтинг главных слов уходящего десятилетия. …

Что такое универсальная архитектура памяти?

Сущностей, называемых Unified Memory Architecture, в индустрии несколько. Некоторым из них уже немало лет. Поэтому если вы захотите найти про её яблочный вариант более подробную информацию, ищите Unified Memory Architecture Apple. В прошлом году своей UMA обзавелась, например, Nvidia – кстати, тоже очень успешной. Если не забираться в дебри, суть этой архитектуры состоит в следующем: вся имеющаяся у системы-на-кристалле оперативная память доступна всем её потребителям, входящим в её состав. Это процессоры (центральный, графический и нейронный), контроллеры (ввода-вывода, например), анклав безопасности – полный список потребителей известен нескольким десяткам сотрудников Apple.

Одни и те же данные могут быть одновременно доступны больше чем одному из потребителей. На копирование данных между потребителями не тратится время. Это позволяет экономнее расходовать оперативную память и время. Во вторых, данные, которые в настоящее время не используются (программа, которая запущена, но неактивна), быстро и эффективно кэшируются. Используется еще множество всяких трюков, из-за которых мобильные устройства Apple уютно чувствуют себя в значительно меньшей по размеру оперативной памяти. С x86 справиться, видимо, еще проще. А кто и как управляет этим одновременным доступом? Контроллер оперативной памяти хранит и поддерживает в актуальном виде карту использования памяти, а каждому из его клиентов он предоставляет карту областей памяти, доступных ему. Одновременный доступ к одному и тому же блоку управляется тем же контроллером – конфликтов не замечено.

Страница 1: Тесты чипов памяти Samsung, Micron и Hynix на процессорах AMD Ryzen 3000

После появления процессоров Ryzen 3000 на рынке прошло несколько недель, и они стали весьма популярными среди наших читателей. Производители памяти анонсировали специальные планки для новых процессоров Ryzen и материнских плат X570. Впрочем, никто не мешает использовать данные модули памяти и с материнскими платами B450 и X470, разве что там могут потребоваться настройки вручную.Данный обзор был подготовлен нашим форумчанином Reous.

Несмотря на внешние отличия, подобные планки памяти чаще всего оснащаются чипами DRAM, которые показали хорошую совместимость с платформами AMD. Как правило, это 8-Гбит чипы от Samsung, SK Hynix и Micron. Мы получили возможность протестировать несколько комплектов G.Skill и Crucial.

Ниже приведен краткий обзор трех наиболее распространенных чипов на рынке:

Samsung 8 Гбит B-Die: Данные чипы типа K4A8G085WB изготавливаются по 20-нм техпроцессу. Ранее они показали дружественность к разгону, тактовые частоты почти линейно масштабируются с напряжением и задержками. По сравнению с приведенными ниже чипами, здесь получается достичь меньших задержек, что положительно сказывается на производительности. К сожалению, производство чипов B-Die прекращено, поэтому в ближайшие месяцы они уйдут с рынка. В соответствующей ветке форума перечислены планки памяти на чипах B-Die.

SK Hynix 8 Гбит C-Die: Чипы типа H5AN8G8NCJR на 8 Гбит производятся по 18-нм техпроцессу, они относятся к третьему поколению после MFR и AFR. Потенциал разгона высокий, но по сравнению с Samsung B-Die придется принести в жертву задержки, такие как tRCDRD, tRP или tRFC. Данные чипы, как правило, встречаются на планках с заявленным режимом до DDR4-3600. Здесь мы тоже дадим ссылку на ветку форума, где можно подробнее ознакомиться с планками на чипах SK Hynix.

Micron 8 Гбит E-Die:Чаще всего на рынке можно встретить планки памяти на 8 Гбит чипах MT40A1G8SA-075:E (D9VPP), которые производятся по 19-нм техпроцессу. В начале года они вызывали сенсацию, поскольку показали рекордные значения разгона. Из-за хороших возможностей разгона и низкой цены данные планки рекомендуются к покупке. Но и здесь по сравнению с чипами Samsung B-Die придется принести в жертву некоторые тайминги, такие как tRCDRD или tRFC. Дополнительная информация приведена в ветке форума.

Тестовая конфигурация

CPU	AMD Ryzen 7 3700X (на фиксированной частоте 4,1 ГГц)
Материнская плата	ASUS ROG Strix B450-I GamingBIOS 2703 ABB
	ASUS ROG Strix X570-E GamingBIOS 1005 ABB
HDD	ADATA XPG SX6000 Lite 128GB M.2Samsung SSD 850 EVO 250GB
ОС	Windows 10 (Build 1903)
Видеокарта	XFX Radeon R9 270X Black Edition
Оперативная память	G.Skill Trident Z DDR4-3600 CL15-15-15Samsung 8Gbit B-Die, Single RankF4-3600C15D-16GTZ
	G.Skill Trident Z DDR4-4000 CL19-19-19Samsung 8Gbit B-Die, Dual RankF4-4000C19D-32GTZKK
	Crucial Ballistix Elite DDR4-4000 CL18-19-19Micron 8Gbit E-Die, Single RankBLE2K8G4D40BEEAK
	Crucial Ballistix Sport DDR4-3000 CL15-16-16Micron 8Gbit E-Die, Dual RankBLS2K16G4D30AESB
	G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16-19-19Hynix 8Gbit C-Die, Single RankF4-3600C16D-16GTZNC
	G.Skill SniperX Camouflage DDR4-3600 CL19-20-20Hynix 8Gbit C-Die, Dual RankF4-3600C19D-32GSXKB

Все тесты проводились на фиксированной частоте CPU 4,10 ГГц при напряжении 1,325 В. Такой шаг был сделан, чтобы тактовые частоты не менялись в зависимости от температуры CPU, что может негативно сказаться на результате. Для тактовых частот до DDR4-3733 включительно использовалась материнская плата ROG Strix X570-E Gaming, более высокие тактовые частоты от DDR4-4200 были получены на материнской плате ROG Strix B450-I Gaming. В качестве BIOS использовались версии с патчем ComboPi 1.0.0.3 ABB. Мы тестировали одноранговые планки 2x 8 Гбайт и двуранговые 2x 16 Гбайт на чипах памяти Samsung, SK Hynix и Micron.

Мы проводили разные тесты в режимах DDR4-3200, DDR4-3600, DDR4-3733, а также DDR4-4200+ при возможности. Все комплекты за исключением однорангового Micron не смогли дать тактовые частоты выше DDR4-4200, либо чипы памяти не позволяли такие высокие частоты, либо BIOS не оптимизирована. Мы выставляли максимальное напряжение VDIMM 1,50 В для оптимизации задержек. Все тайминги приведены в следующей таблице.

<>Тесты чипов памяти Samsung, Micron и Hynix на процессорах AMD Ryzen 3000Разгон Infinity Fabric на DDR4-3200
 

Новое поколение LPDDR5

Samsung приступила к массовому производству «первых в отрасли» мобильных чипов энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5 емкостью 16 Гбит, говорится в пресс-релизе, опубликованном на официальном сайте компании. Помимо рекордной вместительности, заявлена самая высокая производительность изделия в своем классе. Предполагается, что новинка найдет применение во флагманских смартфонах следующего поколения.

При заявленной скорости в 6400 Мбит/сек новинка примерно на 16% быстрее 12-гигабитных LPDDR5 (5500 Мбит/сек), которые применяются в большинстве современных «флагманов». В упаковке 16 ГБ такая память, как отмечают в Samsung, может обеспечить передачу 51,2 ГБ информации (эквивалент 10 фильмов формата Full HD размером 5 ГБ) за одну секунду.

Благодаря использованию техпроцесса 1z, упаковка LPDDR5 уменьшилась на 30% по сравнению с предшественником. Таким образом, в корпусе смартфонов на базе новой памяти производители смогут уместить больше компонентов. Упаковка емкостью 16 ГБ теперь состоит из восьми микросхем против 12 при выпуске по технологии 1y ранее (восемь чипов по 12 Гбит и четыре по 8 Гбит).

Samsung начала массовое производство 16-гигабитных чипов памяти LPDDR5

В 2021 г. Samsung намерена укрепить свое положение в качестве поставщика памяти мировых производителей смартфонов, а также увеличить свою долю на рынке LPDDR5 для автомобильной электроники за счет решений с поддержкой работы в расширенном температурном диапазоне.